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電源設(shè)計(jì)者們，你真的用對(duì)冷卻風(fēng)扇了嗎？
大家知道，如果在一個(gè)密閉空間內(nèi)發(fā)散熱量，該空間內(nèi)的溫度會(huì)增加。也即，殼體內(nèi)的環(huán)境溫度會(huì)上升。如果有一個(gè)包含電源和其負(fù)載(即它供電的PCB)的殼體，隨著電源和其負(fù)載在散發(fā)熱，殼體內(nèi)的環(huán)境溫度會(huì)上升，進(jìn)而導(dǎo)致電源和其負(fù)載溫度的進(jìn)一步上升，從而可能超出其允許的最高工作溫度。
2016-09-23
電源管理 XP Power 消費(fèi)電子
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光伏逆變器領(lǐng)跑者方案：MPPT之于光伏電池的作用
MPPT即最大功率點(diǎn)跟蹤。因?yàn)楣夥姵氐睦寐什粌H與其內(nèi)部特性有關(guān)，還受環(huán)境如日照、溫度等因素的影響，其輸出特性與電池板溫度以及光照、強(qiáng)度有很強(qiáng)的關(guān)聯(lián)性，且具有非線性特性。
2016-09-22
光伏逆變器 MPPT
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單相500W以內(nèi)普通電源變壓器的計(jì)算與設(shè)計(jì)
很多電子業(yè)余愛(ài)好者喜歡自己搭試電路自己調(diào)試設(shè)備，經(jīng)常碰到電路搭試好了，變壓器不知道怎么做？看書，上網(wǎng)查資料，一大堆公式看的頭昏眼花，還是不知道怎么設(shè)計(jì)變壓器。這里指導(dǎo)大家如何計(jì)算和設(shè)計(jì)單相500W以內(nèi)普通電源變壓器。
2016-09-22
電源變壓器 電路設(shè)計(jì)
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FPGA提升電機(jī)控制系統(tǒng)的性能和設(shè)計(jì)靈活性
電動(dòng)機(jī)總體上消耗了很大一部分的全球電力,從而帶來(lái)了更復(fù)雜的電機(jī)控制設(shè)計(jì)，這些設(shè)計(jì)使用基于傳感器和無(wú)傳感器反饋回路和先進(jìn)的算法，實(shí)現(xiàn)更精密的控制和更高的電機(jī)效率。
2016-09-22
控制/MCU 工業(yè)電子 處理器與DSP
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除了低功耗與低成本，F(xiàn)D-SOI還有什么優(yōu)勢(shì)？
28納米以后邏輯工藝開(kāi)始分岔：立體工藝FinFET由于獲得英特爾與臺(tái)積電的主推成為主流，14/16納米都已量產(chǎn)，10納米工藝也有可能在2017年量產(chǎn)；體硅工藝停止在28納米，想增加集成度而又對(duì)FinFET開(kāi)發(fā)成本望而卻步的半導(dǎo)體公司另辟蹊徑。
2016-09-20
FD-SOI 半導(dǎo)體
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性能更高，利用參考設(shè)計(jì)應(yīng)對(duì)更復(fù)雜的Type-C開(kāi)發(fā)過(guò)程
最新推出的USB Type-C速度更快、電力傳輸效能更佳，更可支援多種影音傳輸協(xié)定。不過(guò)，由于功能與用途更為復(fù)雜，應(yīng)用開(kāi)發(fā)者在整合USB Type-C介面時(shí)，也得把更多細(xì)節(jié)考慮進(jìn)去。善加利用參考設(shè)計(jì)，將可有效解決應(yīng)用開(kāi)發(fā)過(guò)程中遇到的疑難雜癥。
2016-09-20
Type-C 電力傳輸
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相移時(shí)延如何改善DC/DC轉(zhuǎn)換器性能？
在大多數(shù)需要通過(guò)單一輸入源調(diào)節(jié)多路輸出電壓的步降電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器會(huì)在向FPGA、DSP和微處理器提供負(fù)載點(diǎn)（POL）電源時(shí)，施加高輸入均方根（RMS）電流和噪聲。為解決此問(wèn)題，設(shè)計(jì)工程師通常會(huì)采用高輸入濾波（但有附加成本），以減輕傳導(dǎo)型電磁干擾（EMI）和/或輻射型電磁干擾，同時(shí)對(duì)較...
2016-09-20
電源管理 放大/調(diào)整/轉(zhuǎn)換 Intersil
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MOSFET靠什么進(jìn)軍IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域？
兩個(gè)主要類型的功率晶體管：MOSFET和IGBT非常流行，它們?cè)陔娫聪到y(tǒng)設(shè)計(jì)中已經(jīng)使用了多年，因此，很容易假定它們之間的差異一直保持不變。本文通過(guò)解釋最新一代MOSFET和IGBT的工作特性，使用戶能夠更好地了解最能滿足應(yīng)用需求的最合適的器件類型，并解釋了目前的功率晶體管選擇的灰色區(qū)域。
2016-09-18
功率晶體管 MOSFET IGBT 電源系統(tǒng)
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高頻化開(kāi)關(guān)電源的頻率提高受限于哪些因素
開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品日趨要求小型、輕量、高效率、低輻射、低成本等特點(diǎn)，增大開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品的功率密度，可以通過(guò)提高其工作頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)，但高頻化產(chǎn)品會(huì)產(chǎn)生一系列工程問(wèn)題，從而限制了開(kāi)關(guān)頻率的提升。
2016-09-18
開(kāi)關(guān)電源 開(kāi)關(guān)頻率
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